剥离转移良率接近100%，上海芯元基突破Micro LED芯片量产关键技术

上海芯元基半导体科技有限公司（以下简称：芯元基）利用其独立知识产权的DPSS衬底技术、侧向外延生长技术和化学剥离蓝宝石衬底技术成功开发出了10微米-50微米的GaN基薄膜倒装Micro LED芯片，相比行业现有的激光剥离蓝宝石衬底技术，芯元基首创的化学剥离蓝宝石衬底技术不仅能够实现100%的剥离良率，而且对GaN，特别是InGaN量子阱毫无损伤，规模化量产后的成本优势非常明显。

芯元基的侧向外延生产技术不仅可以把GaN外延层中的位错密度降到107cm-2(10的7次方每平方厘米)，而且还可以控制位错的位置，使得我们可以把Micro LED阵列安排到没有位错的位置，从根本上解决困扰行业的不均性问题。

芯元基独创的化学剥离技术，不仅可以保证100%的剥离良率，而且还和现有的半导体晶元加工技术有非常好的兼容性，可以利用现有的半导体晶元临时键合技术实现晶元级巨量转移，从而加速Micro LED显示产业化的进程。

在芯片结构上，利用沟槽结构取代了常规的台面结构，实现了P电极和N电极的等高，解决了驱动背板上的焊点和芯片电极高度不匹配的问题；芯元基的芯片工艺保证了芯片只有一个具有纳米粗化结构的出光面，芯片的四周及其底部具有相应的反射结构，解决了显示光串扰问题的同时，可以进一步提高显示的亮度。

上述芯片可应用于车载显示、AR/VR等新兴市场，芯元基已经开始与国内知名厂商展开合作，送样测试。同时，芯元基设计了一款尺寸为16*27微米的薄膜倒装芯片可以随时给意向客户送样测试，出货方式上，可通过批量转移技术将芯片转移到客户定制的柔性材料上或者键合在临时背板上，便于客户使用。