看到PlayNitride在SID 2021发表的一篇文章,内容是关于无边框拼接MicroLED的一种方案,他们称之为PixeLED Matrix Display。

今天根据文章中的一些信息,来猜测一下相关的实现过程,基本上出于个人兴趣的了解,请大家仔细加以鉴别。

一篇关于无边框拼接MicroLED屏的文章

首先按照文章中的说法,这是一种基于PCBA的MicroLED制造技术,他们先制造4x4的microLED矩阵单元,然后在通过SMT转移到PCBA板上,让后通过PCBA板拼接成大尺寸的MicroLED显示屏。

如下图所示为文章中关于PlayNitride的PixeLED Matrix技术的主要工序示意图。

一篇关于无边框拼接MicroLED屏的文章

图中橙色部分为可以从市场渠道获得的技术及服务,包括背板的制造和显示屏拼接,这两部分应该不是PlayNitride所着力开发的技术点。

蓝色部分是PlayNitride所着力开发的技术,包括外延生长(Wafer Epitaxy),器件制作(PixeLED),巨量技术(Mass-Technology)和一种被称为PixeLED Matrix的工序,在之前的MicroLED中,并没有出现这一道工序,随后我们将对此进一步说明。

外延生长和器件制造的细节在这篇文章中并没有涉及,常规性的猜测是外延需要提升面内的均一性,并且结构需要与器件结构相匹配。MicroLED器件的结构虽然没有提及,但根据后续的工艺步骤,猜测大概率是倒装MicroLED。

需要注意的是,对于涉及到巨量操作相关的技术,PlayNitride采用了一种统一的称谓:巨量技术(Mass-Technology)。其中包括了我们比较熟悉的巨量转移技术(Mass Transfer),巨量检查技术(Mass Inspection),巨量测试技术(Mass Testing)和巨量维修技术(Mass Repair)。

一篇关于无边框拼接MicroLED屏的文章

上图为采用的巨量转移的示意图,文章中提到采用的是Stamp的方法,看起来与一般的巨量转移工序一样,但实际上还是有所差异。
这里就需要说一说PlayNitride的这个技术与之前接触到的MicroLED制造的差异了。由前面的流程可以知道,在巨量技术这一工序之后,PlayNitride还有PixeLED Matrix这一步工序,这一步的实际作用是完成需要拼接的MicroLED小屏幕制造。因此在巨量转移之后,实际上并没有制作出最终的MicroLED拼接小屏。
那巨量转移后形成的屏幕是什么呢?其实这一步后只是完成了一块中间屏幕的制造,在这块屏幕上红、蓝、绿三色测MicroLED屏按照一定的规律排布,在后续还需要切割下来,提供给后续的Pixel Matrix工序。如下图所示,为Pixel Matrix工序的示意图。
一篇关于无边框拼接MicroLED屏的文章
在本文中切割的Pixel Matrix4x4像素,因此MicroLED器件的排布也需要满足这个像素排布的要求,同时需要考虑后续切割的规格需求。因为巨量转移采用的stamp的方式,因此在巨量转移的过程中,一般不具备特别高的位置选择性,因此Pixel Matrix的设计也对器件制造过程中的位置设计提出了要求。
这里我们就清楚了,巨量转移后只是将这个4x4像素的小单元制造完成了。而最终的屏是通过将这个4x4的单元转移到另一块PCB板上完成的。
采用这种方式,巨量转移工序还是存在,而且还多了一道Pixel Matrix的大工序,能有什么样的好处呢?
总的来讲,我认为这是一种拉长战线换取胜利的方法,是一种省力不省功的方法。
在之前的MicroLED制造技术中,巨量转移工序是将MicroLED器件转移到最终际显示的屏幕上,因为显示屏的基本要求,对于巨量转移的良率要求太高了,稍有缺陷就会导致整块屏报废,因此不得不花时间和精力去提升巨量转移的良率和巨量维修的效率。并且,在巨量转移完成后的屏幕上要实现像素级的检测也不容易。因此,这条技术曲线太陡峭了!
而采用PlayNitride本文中提到的方法,巨量转移后得到的是一块以4x4像素矩阵(或其它设计的像素矩阵)为组成单位的中间基板。如下图所示,这4x4的像素bonding在基板上后,引脚通过基板上的连线引出。然后将4x4像素矩阵切割下来,通过SMT的方式再转移到驱动背板上。
巨量转移后形成的4x4像素矩阵组成的基板,可以设计电路进行所有像素矩阵的同时大规模测试,提前发现不良器件,这就是文章中所谓的巨量检测和巨量测试。巨量检测和巨量测试的内容没有具体说,按照业界通常的定义,检测应该是指测试出转移后基板上所有不良器件,在这个技术中,可以同时用光学、光致发光和电学的方式进行测试。而巨量测试应该是通过施加的电学信号,得到器件的一些具体物理参数。

一篇关于无边框拼接MicroLED屏的文章

随后就是巨量维修,这种可选择性维修,是通过类似于巨量转移的方式,将好的MicroLED器件同时转移到指定区域所有的修复位置。这不仅要求有巨量转移的功能,也需要有选择性转移的功能。

一篇关于无边框拼接MicroLED屏的文章

一个可能的解决方案是通过stamp加上激光的方法,stamp负责巨量转移,而激光使选择性成为可能。

采用这种方案的话,需要首先测试记录下所有缺陷的坐标信息,然后分区域进行巨量维修。因为不良在位置上往往有一些随机的性质,因此如果可能的话,对整个大面积内的缺陷的坐标进行一些管理,通过合适的算法也许可以进一步提升修复的效率。

当然这也只是猜测,巨量维修他们称之为“SMAR·Tech”,至于具体是什么方案,可能就只有少数人能够知道了。

幸好能够查到他们的专利US20220246792A1,说到了一种巨量维修的方法。大致看了一下,重新画了一下简单的示意图如下。

一篇关于无边框拼接MicroLED屏的文章
一篇关于无边框拼接MicroLED屏的文章

大致的思想是在像素单元内预留一些位置,专门作为修补区。而不像常规的那样,需要在MicroLED器件的原位进行修补。预留修补区的好处是不需要将坏的器件去除,而且修补区的位置是固定的,便于修补时候器件的转移。在巨量检测过程中,记录下坏的器件的位置和颜色,然后采用stamp加激光,将对应位置需要修补的那种颜色的器件转移上去,就可以完成巨量修补了。

此外,从该专利看来,这个方法可以和器件冗余的方法结合使用,当然采用冗余的方法比较浪费MicroLED器件,不是特别推荐。

在完成巨量维修后,中间转移基板被切割成4x4的小矩阵。这些小矩阵如果有不良的器件,可以直接去除掉或再次维修。

最后将这些4x4的矩阵转移到驱动PCB板上,因为这个4x4矩阵的尺寸会相对比较大,可以采用常规成熟的SMT工艺完成,得到一块显示的小屏幕。这些小块的显示屏可以通过拼接的方式做成大屏。

这里的好处是很明显的,就是采用巨量转移的方式,可以实现MicroLED必需的转移效率。而采用巨量检测和巨量维修可以尽可能提高维修的效率。同时采用切割成4x4的矩阵,相当于绕开极其苛刻的转移良率(因为即使前面的工序提升了效率,苛刻的良率可能也难以达到),直接选取好的矩阵进行最终显示屏的转移。而且这种方法也可以混bin,进一步提升显示的质量。

看完PlayNitride的这篇文章,大家是不是觉得目前比较火的MIP概念有点相同?在这里不禁要赞扬一句,显示行业的工程师真个个都是人才,说话的声音又好听,MicroLED显示的脚步看起来越来越近了。

最近比较忙,草草冒个泡,有什么原则性的问题,请大家指出。

原文始发于微信公众号(显示工程师):一篇关于无边框拼接MicroLED屏的文章

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作者 li, meiyong