近几年,半导体行业景气度持续向上,芯片供给短缺状态持续,驱动芯片厂商上修资本支出计划,推进扩产提升产能,这也进一步带动半导体设备需求增加,而中微公司等国内设备厂商的业绩也迎来较快的发展。

在2021年度业绩说明会上,中微公司董事长、总经理尹志尧表示,受益于半导体设备市场发展及公司产品竞争优势,2021年公司各项业务均实现较快发展。中微将通过三维发展,有机生长和外延扩展,发展成为国际一流的微观加工设备公司。

半导体设备需求强劲,各业务增长迅速

2021年,中微公司实现营业收入31.08亿元,同比增长36.72%;归属于母公司所有者的净利润10.11亿元,同比增长105.49%。其营收实现较快的增长,盈利能力大幅度提升。

2021年,中微公司营收增长主要来源于刻蚀设备收入和MOCVD设备收入,其中刻蚀设备收入为20.04亿元,同比增长55.4%,占收入比重64.4%;MOCVD设备收入5.03亿元,同比增长1.53%,占收入比重16.2%。公司2021年新签订单41.3亿元,同比增长90.5%。

中微公司2021年共生产付运CCP刻蚀设备298腔,产量同比增长40%。此外,在先进逻辑电路方面,公司持续升级硬件性能,成功取得5纳米及以下逻辑电路产线的重复订单。在存储电路方面,公司的刻蚀设备在 64 层及 128 层 3DNAND 的生产线得到广泛应用。随着 3D NAND 芯片制造厂产能的迅速爬升,该等产品的重复订单稳步增长。

而其ICP 刻蚀设备已经逐步趋于成熟。Primo nanova® ICP 刻蚀产品已经在超过15家客户的生产线上进行100多个ICP刻蚀工艺的验证,部分工艺的刻蚀性能和量产指标已经满足客户的要求并投入量产,且持续扩展到更多刻蚀应用的验证。

尹志尧称,公司ICP刻蚀设备在2021年也在客户端取得突破性进展,已通过诸多客户的工艺认证并获得重复订单。公司 2021 年 ICP 刻蚀机付运超过130腔,同比增长超过230%。

截至2021年底,PrimoNanova 已经顺利交付超过180台反应腔,且在客户端完成验证的应用数量也在持续增加。PrimoTwin-Star(2021 年上半年发布)已经在客户端完成认证,并收到来自国内领先客户的订单。

尹志尧表示,公司目前开发的产品以半导体前道生产的等离子体刻蚀设备、薄膜沉积等关键设备为主,并逐步开发先进封装、MEMS、蓝绿光及紫外 LED、Mini LED、Micro LED 等泛半导体设备产品。未来,在强化内生成长的同时,公司考虑通过并购等外延式成长途径扩大产品和市场覆盖,并将继续探索核心技术在国计民生中创新性的应用。

MiniLED产业化提速 MOCVD新签订单增幅明显

2021年随着规模效应和良率提升带来的成本下降,上下游持续推进MiniLED产业化应用,MiniLED进入商业发展快车道。中微也抓住MiniLED市场机遇,于2021年6月正式发布用于高性能Mini LED量产的MOCVD设备Prismo UniMax®。

据悉,该设备专为高产量而设计,具备高波长均匀性、高良率等优点,此外,该设备可同时加工164片4 英寸或72片6英寸外延片,具有行业先进性。

中微公司称,Prismo UniMax® 设备拓展了公司的MOCVD设备产品线,为全球LED芯片制造商提供极具竞争力的 Mini LED 量产解决方案。同时,公司也正在开发针对Micro LED应用的专用 MOCVD 设备。

随着Mini-LED产业化的不断推进,中微公司的PrismoUnimax 订单也持续增长。截至2021年年底,公司PrismoUnimax订单已经超过 100 腔,2022 年 3 月公司收到兆驰股份 52 腔采购订单。尹志尧透露,目前PrismoUniMax®MOCVD设备订单已超180腔。

值得提及的是,通过效率和技术优势,2021年MOCVD设备毛利率大幅回升至33.8%。中微公司称,MOCVD毛利率提升幅度大主要系,新的产品型号Prismo UniMax™主要针对Mini-LED设计。性能、复杂性提高很多,提供更多的价值给用户,所以毛利率有明显增长。

平安证券认为,中微公司率先发布Mini LED专用MOCVD设备,凭借效率和良率优势,迅速抢占市场份额,公司MOCVD设备迎来收入和毛利率双提升阶段。未来,公司有望在Micro LED设备和化合物半导体MOCVD设备市场找到新的增长点。

厂房建设加速落地,产能节奏有序释放

随着市场需求增长,中微公司也扩建南昌基地和临港基地建设。目前,中微公司南昌基地和临港基地建设进展按照公司既定计划正常进行中。其中南昌基地目前厂内主要道路已施工完毕,各主要单位建筑均已封顶。临港产业化基地于2021年6月20日举行开工仪式,规划总建筑面积约18万平方米,现已封顶。

尹志尧表示,南昌产业化基地将于2022年6月开始陆续投入使用,临港产业化基地将于2022年12月开始陆续投入使用。未来两年厂房面积将扩大超过15倍,为公司大发展奠定坚实基础。

关于先进制程的刻蚀装备上大致情况,中微公司表示,公司积极关注下游市场扩产计划并努力争取各种可能的市场机会,公司的刻蚀设备在国内主要客户端市场占有率不断提升。在逻辑集成电路制造环节,公司开发的12英寸高端刻蚀设备已运用在国际知名客户65纳米到5纳米等先进的芯片生产线上;同时,公司根据先进集成电路厂商的需求,已开发出小于5纳米刻蚀设备用于若干关键步骤的加工,并已获得行业领先客户的批量订单。

公司目前正在配合客户需求,开发新一代刻蚀设备和包括更先进大马士革在内的刻蚀工艺,能够涵盖5纳米以下更多刻蚀需求和更多不同关键应用的设备。在3D NAND芯片制造环节,公司的电容性等离子体刻蚀设备可应用于64层和128层的量产,同时公司根据存储器厂商的需求正在开发新一代能够涵盖128层及以上关键刻蚀应用以及相对应的极高深宽比的刻蚀设备和工艺。

此外,公司的电感性等离子刻蚀设备已经在多个逻辑芯片和存储芯片厂商的生产线上量产,根据客户的技术发展需求,正在进行下一代产品的技术研发,以满足5纳米以下的逻辑芯片、1X纳米的DRAM芯片和128层以上的3D NAND芯片等产品的ICP刻蚀需求,并进行高产出的ICP刻蚀设备的研发。

对于公司未来规划,尹志尧表示,公司将从刻蚀设备延伸到化学薄膜、检测等其他IC关键设备领域;扩展在泛半导体领域设备的应用如显示、MEMS、功率器件、太阳能领域的关键设备。中微将通过三维发展,有机生长和外延扩展,发展成为国际一流的微观加工设备公司。

而通过持续不断的研发投入,中微公司也取得丰硕的成果。2021年公司新增专利申请216项,其中发明专利183项。截至2021年底,公司共拥有专利1.179项,其中发明专利993项。公司的发明专利“等离子体处理装置及调节基片边缘制程速率的方法”荣获第二十二届中国专利金奖,是中微第二次获得中国专利金奖。

在国产零部件方面,中微公司CCP刻蚀机、ICP刻蚀机国产率占比近60%,而MOCVD设备的国产率超过80%。尹志尧称,目前中微公司产品有部分零部件需要进口,公司采取多厂商策略保障零部件及时供应,公司不受零部件影响,100%按时交付。

文章来源:爱集微

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作者 li, meiyong